Barium metaboratum (β-BaB .)₂O₄, BBO pro brevi) crystallum pertinet ad systema cristalli tripartiti, 3 .m punctum catervae. In 1949, Levinet al. Barium metaboratum BaB₂O₄ compositum. In 1968, Brixneret al. usus BaCl₂ sicut fluxus acus perlucidus ut unum cristallum. Anno 1969, Hubner usus est Li₂O profluente crescere 0.5mm×0.5mm×0.5mm et mensurari notitias fundamentales densitatis, parametri cellularum et coetus spatii. Post 1982, Institutum Fujian materiae Structurae, Academiae Scientiarum Sinensium salsissimum semen-crystale methodum ad crescendum uno crystallo in fluxu large usus est, et crystallum BBO invenit egregium esse materiam duplicationem ultraviolaceam. Ad applicationem electro-opticus Q-transmutatio, BBO crystallum incommodum habet coefficiens humilis electro-optici, quae ad altum voltage dimidiatum ducit, sed praestantem utilitatem summi laseris laedendi limen habet.

Instituti Fujian materiae structurae, Academia Scientiarum Sinensium seriem laboris in crystallis BBO incrementum perfecit. In 1985, una cristallus cum magnitudine φ67mm×14mm crevit. Magnitudo crystallina perventum est φ76mm×15mm in 1986 et φ120mm×23mm in 1988 .

Crystallus auctus imprimis methodum seminis crystalli-salis fusilis (etiam quae methodus top-seminis crystalli, methodo fluxum levantis, etc. notatur). Crystallum incrementum rate in thec-axis directio tarda est, et qualis est cristallum longum obtinere difficile est. Praeterea coefficiens crystalli BBO electronico-optica est relative parva, et crystallus brevis intentione altioris intentionis opus est. In 1995, Goodnoet al. usus est BBO ut materia electro-optica pro EO Q-modulatione Nd:YLF laser. Magnitudo crystalli huius BBO erat 3mm×3mm×15mm(x, y, z) , et transversalis modulatio accepta est. Etsi longitudo altitudo huius BBO proportio attingit 5:1, quarta-unda voltatio adhuc usque ad 4.6 kV, quae est circa 5 tempora EO Q-modulatione crystalli LN iisdem conditionibus.

Ut reducere intentionem operantem, BBO EO Q-switch duobus vel tribus crystallis simul utitur, quae insertio detrimentum et sumptus auget. Nickelet al. dimidia unda intentione BBO crystallum per crystallum per aliquot tempora redegit. Ut in figura ostenditur, trabes laser quater per cristallum transit, et Phase mora ab alta reflexione speculi positi 45° causata ab elato in optica via posito compensatur. Hoc modo, dimidia unda voltatio huius BBO Q-smitatio tam humilis esse potuit quam 3.6 kv.

Figure 1. BBO EO Q-modulatio cum dimidia parte fluctu voltage - WISOPTIC

In 2011 Perlov et al. usus NaF pro fluxu crescere BBO crystallum longitudine 50mm inc-axis directio, et fabrica BBO EO consecuta cum magnitudine 5mm×5mm×40mm, et cum uniformitate optica melior quam 1×10⁶ cm¹quae requisitis EO Q-adhibitis permutandis occurrit. Sed cursus huius methodi incrementum est plusquam 2 mensuum, et sumptus est princeps.

Nunc, humilis efficax EO, coefficiens crystalli BBO et difficultas crescendi BBO cum magna magnitudine et alta qualitate, adhuc BBO coarctant EO Q-passionem applicationis. Nihilominus, ob laser damnum in alto limine et facultatem ad alta frequentia repetitionis laborandi, BBO crystallum adhuc est quaedam EO Q-modulatio materiae magni pretii et futurae promissionis.

Figura 2. BBO EO Q-Switch voltage dimidia unda humilis – Facta a Technologia WISOPTIC Co., Ltd.